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IDH10G65C6XKSA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO220-2
數(shù)量：
 6880  
說明：
 DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2
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IDH10G65C6XKSA1-PG-TO220-2圖片

IDH10G65C6XKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：PG-TO220-2
封裝/外殼：TO-220-2
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：495pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：33 μA @ 420 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 10 A
電流 - 平均整流 (Io)：24A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IDH10G65C6XKSA1的詳細(xì)信息，包括IDH10G65C6XKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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