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IDW20G65C5XKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO247-3-41
數(shù)量：: 6136
說(shuō)明：: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

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IDW20G65C5XKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：PG-TO247-3-41
封裝/外殼：TO-247-3
安裝類(lèi)型：通孔
不同?Vr、F 時(shí)電容：590pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：210 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：0 ns
速度：無(wú)恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 20 A
電流 - 平均整流 (Io)：20A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：CoolSiC?+
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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