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IGLD60R190D1SAUMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-LSON-8-1
數(shù)量：: 2187
說明：: GAN HV PG-LSON-8

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IGLD60R190D1SAUMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：157 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：-10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：1，6V @ 960μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：10A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：CoolGaN?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IGLD60R190D1SAUMA1的詳細(xì)信息，包括IGLD60R190D1SAUMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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