IGT60R070D1ATMA4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-HSOF-8-3
數(shù)量：: 6111
說明：: GANFET N-CH

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IGT60R070D1ATMA4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：-10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1，6V @ 2，6mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：-
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：31A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：CoolGaN?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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