IMBG120R350M1HXTMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-7-12
數(shù)量：: 3015
說明：: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

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IMBG120R350M1HXTMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：65W（Tc）
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：196 pF @ 800 V
Vgs（最大值）：+18V，-15V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.9 nC @ 18 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：468 毫歐 @ 2A，18V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.7A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：CoolSiC?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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