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IMT18T110

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: SMT6
數(shù)量：: 2007
說明：: 兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN

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IMT18T110 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
認(rèn)證機(jī)構(gòu)：
封裝封裝/外殼：SC-74，SOT-457
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：260MHz
功率 - 最大值：300mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：270 @ 10mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：250mV @ 10mA，200mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：12V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：500mA
晶體管類型：2 PNP（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

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