IMZA120R014M1HXKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO247-4-8
數(shù)量：: 7011
說明：: SIC DISCRETE

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IMZA120R014M1HXKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：455W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4580 nF @ 25 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：110 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 23.4mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：18.4 毫歐 @ 54.3A，18V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：127A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：在售
包裝：CoolSiC?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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