IPA086N10N3GXKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO220-FP
數(shù)量：: 6597
說明：: MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP

一、本商品被瀏覽0次.

IPA086N10N3GXKSA1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：37.5W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3980 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：55 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 75μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：8.6 毫歐 @ 45A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：45A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：OptiMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IPA086N10N3GXKSA1的詳細信息，包括IPA086N10N3GXKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：