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中文參數(shù)如下:
:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):29.2W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):584 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):24.8 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 260μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):380 毫歐 @ 3.2A,13V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):13V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):6.3A(Tc)
漏源電壓(Vdss):500 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:CoolMOS? CE
系列:管件
品牌:Infineon Technologies
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