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IPB034N06N3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數量:
 1343  
說明:
 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 60V 100A
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IPB034N06N3 G-TO-263圖片

IPB034N06N3 G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPB034N06N3GATMA1 IPB034N06N3GXT SP000397990
典型關閉延遲時間:63 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:161 ns
功率耗散:167 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:130 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :135 S, 68 S
下降時間:16 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single Quint Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.4 mOhms
漏極連續電流:100 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB034N06N3 G的詳細信息,包括IPB034N06N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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