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IPB049NE7N3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263-3
數量：
 8184  
說明：
 MOSFET N-Channel 75V MOSFET
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IPB049NE7N3 G-TO-263-3圖片

IPB049NE7N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3GXT SP000641752
典型關閉延遲時間：30 nS
上升時間：11 nS
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：51 nC
下降時間：8 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4.9 mOhms at 10 V
漏極連續電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB049NE7N3 G的詳細信息，包括IPB049NE7N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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