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IPB06CNE8N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 7038
說明：: MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A

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IPB06CNE8N G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：26 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：27 ns
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6.2 m Ohms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：85 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB06CNE8N G的詳細信息，包括IPB06CNE8N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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