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IPB100N04S303

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263
數量：
 4626  
說明：
 MOSFET
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IPB100N04S303-TO-263圖片

IPB100N04S303 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：46 ns
上升時間：16 ns
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：17 ns
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.3 m Ohms
漏極連續電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB100N04S303的詳細信息，包括IPB100N04S303廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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