IPB180N03S4L01ATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-7-3
數量：: 7965
說明：: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

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IPB180N03S4L01ATMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：188W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：17600 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：239 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 140μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.05 毫歐 @ 100A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：180A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

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