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IPB600N25N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3
數量：: 3260
說明：: MOSFET N-channel POWER MOS

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IPB600N25N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GXT SP000676408
典型關閉延遲時間：22 ns
上升時間：10 ns
功率耗散：136 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：22 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：47 S, 24 S
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：60 mOhms
漏極連續電流：25 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：250 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB600N25N3 G的詳細信息，包括IPB600N25N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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