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IPB60R190C6

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO-263
數(shù)量：
 3651  
說(shuō)明：
 MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
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IPB60R190C6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPB60R190C6ATMA1 IPB60R190C6XT SP000641916
功率耗散：151 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：190 mOhms
漏極連續(xù)電流：20.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB60R190C6的詳細(xì)信息，包括IPB60R190C6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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