IPB65R110CFD

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 7308
說明：: MOSFET N-Channel MOSFET 650V 110 mOhm

一、本商品被瀏覽0次.

IPB65R110CFD PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB65R110CFDATMA1 IPB65R110CFDXT SP000896400
典型關閉延遲時間：68 ns
上升時間：11 ns
功率耗散：277.8 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：118 nC
下降時間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：110 mOhms
漏極連續(xù)電流：31.2 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：700 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB65R110CFD的詳細信息，包括IPB65R110CFD廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：