IPB80N06S4L05ATMA2

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數(shù)量：: 1827
說明：: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

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IPB80N06S4L05ATMA2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：107W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8180 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：110 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 60μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5.1 毫歐 @ 80A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：80A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：最后售賣
包裝：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

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