三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPC218N04N3X7SA1

IPC218N04N3X7SA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模具
數量：: 1539
說明：: MV POWER MOS

一、本商品被瀏覽0次.

IPC218N04N3X7SA1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：50 毫歐 @ 2A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：-
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：OptiMOS? 3
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

以上是IPC218N04N3X7SA1的詳細信息，包括IPC218N04N3X7SA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：