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IPD03N03LB G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 2916
說明：: MOSFET N-CH 30V 90A

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IPD03N03LB G-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

IPD03N03LB G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：41 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：9 ns
功率耗散：115 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：120 S / 60 S
下降時間：6.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4.9 m Ohms
漏極連續(xù)電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD03N03LB G的詳細信息，包括IPD03N03LB G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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