IPD068P03L3GATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數(shù)量：: 8037
說明：: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：100W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7720 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：91 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 150μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：6.8 毫歐 @ 70A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：70A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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