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IPD096N08N3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-252
數量：
 3105  
說明：
 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
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IPD096N08N3 G-TO-252圖片

IPD096N08N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPD096N08N3GBTMA1 IPD096N08N3GXT SP000474196
典型關閉延遲時間：23 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：30 ns
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0096 Ohms
漏極連續電流：73 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD096N08N3 G的詳細信息，包括IPD096N08N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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