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IPD110N12N3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-252-3
數量：
 5629  
說明：
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPD110N12N3 G-TO-252-3圖片

IPD110N12N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPD110N12N3GBUMA1 IPD110N12N3GXT SP000674466
典型關閉延遲時間：24 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：16 ns
功率耗散：136 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：49 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：83 S, 42 S
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：11 mOhms
漏極連續電流：75 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：120 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD110N12N3 G的詳細信息，包括IPD110N12N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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