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IPD20N03L G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：
 3339  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
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IPD20N03L G-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

IPD20N03L G PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：30A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：695pF @ 25V
功率 - 最大：42W
安裝類型：表面貼裝

以上是IPD20N03L G的詳細信息，包括IPD20N03L G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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