三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPD400N06N G

IPD400N06N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 3582
說明：: MOSFET N-CH 60V MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

IPD400N06N G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPD400N06NGBTMA1 IPD400N06NGXT SP000443744
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：24 ns
上升時(shí)間：24 ns
功率耗散：68 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：23 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.04 Ohms
漏極連續(xù)電流：27 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD400N06N G的詳細(xì)信息，包括IPD400N06N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：