IPD50P04P413ATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-313
數(shù)量：: 6939
說明：: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

一、本商品被瀏覽0次.

IPD50P04P413ATMA1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：58W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3670 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：51 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 85μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：12.6 毫歐 @ 50A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：50A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是IPD50P04P413ATMA1的詳細信息，包括IPD50P04P413ATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：