IPD50R650CEBTMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數(shù)量：: 207
說明：: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

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IPD50R650CEBTMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：47W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：342 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：650 毫歐 @ 1.8A，13V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6.1A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：500 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：Digi-Key 停止提供
包裝：CoolMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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