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IPD640N06L G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-252
數量：
 17160  
說明：
 MOSFET N-CH 60V 18A
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IPD640N06L G-TO-252圖片

IPD640N06L G PDF參數資料

中文參數如下：

零件號別名：IPD640N06LGBTMA1 IPD640N06LGXT SP000443766
典型關閉延遲時間：32 ns
工廠包裝數量：1
上升時間：25 ns
功率耗散：47 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：32 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.064 Ohms
漏極連續電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD640N06L G的詳細信息，包括IPD640N06L G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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