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IPG20N10S4L35AATMA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TDSON-8-10
數量：
 2268  
說明：
 MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
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IPG20N10S4L35AATMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：8-PowerVDFN
安裝類型：表面貼裝，可潤濕側翼
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：43W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1105pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17.4nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 16μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：35 毫歐 @ 17A，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：20A
漏源電壓（Vdss）：100V
FET 功能：邏輯電平門
配置：2 N-通道（雙）
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是IPG20N10S4L35AATMA1的詳細信息，包括IPG20N10S4L35AATMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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