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IPI076N12N3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-262-3
數量：
 4882  
說明：
 MOSFET N-Channel 120V MOSFET
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IPI076N12N3 G-TO-262-3圖片

IPI076N12N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPI076N12N3GAKSA1 IPI076N12N3GXK SP000652738
典型關閉延遲時間：39 nS
工廠包裝數量：500
上升時間：50 nS
功率耗散：188 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：76 nC
下降時間：10 nS
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7.6 mOhms at 10 V
漏極連續電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：120 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPI076N12N3 G的詳細信息，包括IPI076N12N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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