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IPI100P03P3L-04

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3
數(shù)量：: 4572
說(shuō)明：: MOSFET OPTIMOS-P TRNCH P-CH -30V -100A 4mOhms

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IPI100P03P3L-04 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：200 ns
工廠包裝數(shù)量：500
上升時(shí)間：45 ns
功率耗散：200 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：180 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4 m Ohms
漏極連續(xù)電流：- 100 A
閘/源擊穿電壓：- 16 V, + 5 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPI100P03P3L-04的詳細(xì)信息，包括IPI100P03P3L-04廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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