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IPI60R190C6

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-262-3
數(shù)量：
 5413  
說明：
 MOSFET 600V CoolMOSC6 Power Transistor
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IPI60R190C6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPI60R190C6XK IPI60R190C6XKSA1 SP000660618
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：110 nS
上升時(shí)間：11 nS
功率耗散：151 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：63 nC
下降時(shí)間：9 nS
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.19 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：20.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPI60R190C6的詳細(xì)信息，包括IPI60R190C6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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