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IPI60R385CPXKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3
數(shù)量：: 5868
說明：: MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3

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IPI60R385CPXKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：790 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 340μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：385 毫歐 @ 5.2A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：CoolMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IPI60R385CPXKSA1的詳細信息，包括IPI60R385CPXKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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