IPI70N04S307

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262
數量：: 1818
說明：: MOSFET

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IPI70N04S307 PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：17 ns
工廠包裝數量：500
上升時間：8 ns
功率耗散：79 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7.1 m Ohms
漏極連續電流：70 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

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