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IPS09N03LA G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO251-3-11
數量：: 7479
說明：: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

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IPS09N03LA G PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.8 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：25V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：50A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1642pF @ 15V
功率 - 最大：63W
安裝類型：通孔

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