IPS110N12N3GBKMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO251-3-11
數(shù)量：: 8730
說明：: MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：136W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4310 pF @ 60 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：65 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 83μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：11 毫歐 @ 75A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：75A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：120 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：OptiMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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