IPS135N03LGAKMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO251-3-11
數(shù)量：: 7605
說明：: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：31W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：13.5 毫歐 @ 30A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：OptiMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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