IPS65R1K0CEAKMA2

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO251-3-342
數(shù)量：: 4617
說明：: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3

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IPS65R1K0CEAKMA2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：68W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：328 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：15.3 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 200μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1 歐姆 @ 1.5A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.2A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：CoolMOS? CE
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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