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IPSA70R360P7SAKMA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO251-3
數量：
 7731  
說明：
 MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
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IPSA70R360P7SAKMA1-PG-TO251-3圖片

IPSA70R360P7SAKMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：59.5W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：517 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：16.4 nC @ 400 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：360 毫歐 @ 3A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：12.5A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：700 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：CoolMOS? P7
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IPSA70R360P7SAKMA1的詳細信息，包括IPSA70R360P7SAKMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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