IPSA70R900P7SAKMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO251-3
數(shù)量：: 1498
說明：: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3

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IPSA70R900P7SAKMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：30.5W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：211 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：6.8 nC @ 400 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 60μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：900 毫歐 @ 1.1A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：700 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：CoolMOS? P7
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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