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IRD3CH11DB6

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模具
數(shù)量：: 4392
說明：: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE

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IRD3CH11DB6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：模具
封裝/外殼：模具
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：700 nA @ 1200 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：190 ns
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：2.7 V @ 25 A
電流 - 平均整流 (Io)：25A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

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