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IRF3575DTRPBF

廠(chǎng)家：: Infineon Technologies
封裝：: 32-PQFN（6x6）
數(shù)量：: 2457
說(shuō)明：: MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN

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IRF3575DTRPBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：32-PowerWFQFN
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
工作溫度：-
功率 - 最大值：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：303A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：25V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IRF3575DTRPBF的詳細(xì)信息，包括IRF3575DTRPBF廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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