中文參數如下:
典型關閉延遲時間:25 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:30 ns
功率耗散:40 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:30 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2 Ohms
漏極連續電流:2.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:250 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是IRF614B_FP001的詳細信息,包括IRF614B_FP001廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!