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IRF620STRR

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 2808
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

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IRF620STRR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：800 毫歐 @ 3.1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：5.2A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：260pF @ 25V
功率 - 最大：3W
安裝類(lèi)型：表面貼裝

以上是IRF620STRR的詳細(xì)信息，包括IRF620STRR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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