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IRF630SPBF

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：
 7432  
說明：
 MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
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IRF630SPBF-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IRF630SPBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：39 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：28 ns
功率耗散：3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：3.8 S
下降時間：20 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SMD-220
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.4 Ohms
漏極連續電流：9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRF630SPBF的詳細信息，包括IRF630SPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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