IRF6702M2DTR1P

廠家：: International Rectifier
封裝：: Direct-FET MA
數量：: 3483
說明：: MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX

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中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
上升時間：41 ns
功率耗散：2.7 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9.4 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：34 S
下降時間：20 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET MA
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：11.3 mOhms
漏極連續電流：15 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF6702M2DTR1P的詳細信息，包括IRF6702M2DTR1P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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