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IRF6892STR1PBF

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: DIRECTFET? S3C
數(shù)量：: 693
說明：: MOSFET N-CH 25V 28A DIRECTFET

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IRF6892STR1PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），42W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2510 pF @ 13 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：25 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 50μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.7 毫歐 @ 28A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：28A（Ta），125A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：25 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：HEXFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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