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IRF7341GTRPBF

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 8-SO
數量：: 6142
說明：: MOSFET N-CH 55V 5.1A

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IRF7341GTRPBF PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：2.4W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：780pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：44nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA（最小）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：50 毫歐 @ 5.1A，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：5.1A
漏源電壓（Vdss）：55V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（雙）
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態：在售
包裝：HEXFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是IRF7341GTRPBF的詳細信息，包括IRF7341GTRPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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