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中文參數如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.5 毫歐 @ 11A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 4030pF @ 25V
功率 - 最大2.5W
安裝類型表面貼裝
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