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IRF7492PBF

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：
 108  
說明：
 MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC
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IRF7492PBF-8-SOIC（0.154

IRF7492PBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：27 ns
工廠包裝數量：95
上升時間：13 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：39 nC
下降時間：14 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：79 m Ohms
漏極連續電流：3.7 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7492PBF的詳細信息，包括IRF7492PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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